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ID:1075066055 具有先进电力电子架构和高效设计的创新氮化镓(GaN)半导体芯片
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ID:1075073274 创新的氮化镓(GaN)半导体芯片,具备先进的电力电子架构和高效设计。
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ID:1676631403 Wide Bandgap Semiconductor Power Electronics Silicon carbide and gallium nitride power devices with advanced thermal management systems and high-frequency switching capabilities. Power elect
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ID:1075065984 具有先进电力电子架构和高效设计的创新氮化镓(GaN)半导体芯片
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ID:822254212 实验性氮化镓和碳化硅晶体管
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ID:1075071819 具有先进电力电子架构和高效设计的创新氮化镓(GaN)半导体芯片
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ID:1075065962 创新氮化镓(GaN)半导体芯片,具备先进电力电子架构和高效设计
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ID:1075067323 具有先进电力电子架构和高效设计的创新氮化镓(GaN)半导体芯片
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ID:1075068592 具有先进电力电子架构和高效设计的创新氮化镓(GaN)半导体芯片
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ID:1075068605 具有先进电力电子架构和高效设计的创新氮化镓(GaN)半导体芯片
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ID:822254148 实验性的氮化镓和碳化硅晶体管
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ID:822254184 实验性氮化镓和碳化硅晶体管
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ID:822254168 实验型氮化镓和碳化硅晶体管
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ID:1075067390 具有先进电力电子架构和高效设计的创新氮化镓(GaN)半导体芯片
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ID:1428089088 该晶体管在实验中采用了氮化镓和碳化硅
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ID:1288072795 实验性氮化镓和碳化硅晶体管
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ID:1676631388 Wide Bandgap Semiconductor Power Electronics Silicon carbide and gallium nitride power devices with advanced thermal management systems and high-frequency switching capabilities. Power elect
ID:326127109 硅
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ID:1075067423 具有先进电力电子架构和高效设计的创新氮化镓(GaN)半导体芯片